太陽能硅片清洗劑研究及其方案

在光伏產業(yè)，太陽能的硅片的生產過程，人們需要將硅片進行清洗，然后才能生產出合格產品。由于太陽能硅片的表面污染物成份比較復雜，一般主要包括油脂、松香、環(huán)氧樹脂、聚乙二醇等有機物，還有的就是塵埃及其它顆粒污染和金屬離子等，它們通常用化學清洗的方式以及物理吸附的方法清洗存在于硅片表面或硅片的氧化膜中。這些雜質嚴重影響著電池片的性能及成品率。硅片清洗的要求是既能去除各類雜質，又不破壞硅片。
　　對于硅片清洗技術，其發(fā)展歷程大致可分為如下四個階段：
　　第一階段，建立了最初的化學和機械拋光，但是由于人們使用和處理不當，往往會在金屬表面上重新沉淀其它雜質以及帶來金屬雜質的再次污染；
　　第二階段，1961-1971年期間，使用最初的RCA- 1清洗劑，該清洗技術的發(fā)展是清洗技術的歷程碑；
　　第三階段，1972-1989年期間，這一階段的工作主要基于對 RCA清洗的化學原理上，對于適用情況以及影響因素等進行深入研究和分析，對 RCA清洗技術進行不斷的改良；
　　第四階段，1990年--至今，側重于對溶液清洗機理和動力學的研究以及新型清洗技術的開發(fā)研究。
　　本實驗目的在于研制一種堿性的、不含有機溶劑、無刺激性氣味、成本低的水基專用清洗劑，要求其清洗效果與太陽能硅片的傳統清洗方法相當或者更優(yōu)。我們的清洗劑配方，以非離子表面活性劑和陰離子表面活性劑為主要組分，清洗方法具有操作方便、成本低、無毒、對皮膚無腐蝕、對人體無危害、對環(huán)境無污染等優(yōu)點。
　　1、配方及主要原材料：脂肪醇聚氧乙烯醚；6501 壬基酚聚氧乙烯醚；十二烷基苯磺酸鈉 LAS；三乙醇胺油酸皂；三聚磷酸鈉；NaOH，以上均為工業(yè)品。乙二胺四乙酸二鈉（C.P）。
　　2、配方評價：
　　1）該清洗劑配方呈堿性，洗凈率在99%以上，對清洗對象表面不會殘留不溶物，不會對清洗物造成新的污染，不會影響其產品的質量，清洗后的硅片表面干凈。
　　2）該清洗劑可用于常溫下的超聲清洗，清洗條件溫和，對溫度、壓力、機械能等沒有特殊要求，企業(yè)能耗更低。
　　3）該清洗劑清洗后的返片率非常低，僅為傳統清洗工藝的百分之十，工藝簡單，操作方便，滿足環(huán)保要求。